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CMT06N60N220FP

产品描述power field effect transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小191KB,共6页
制造商虹冠电子(Champion)
电源控制管理IC芯片是提升电子设施及产品省电效能的首要关键。拥有美国硅谷最先进技术作为后盾的虹冠电子,投入AC-DC模拟电源IC专业设计多年,始终秉持落实节能减碳,为绿化世界而奋斗的理念,让节能省电的效能,彻底在全球的生活中实现。
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CMT06N60N220FP概述

power field effect transistor

CMT06N60N220FP规格参数

参数名称属性值
厂商名称虹冠电子(Champion)
包装说明TO-220FP, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)180 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)60 pF
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)18 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)135 ns
最大开启时间(吨)90 ns

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